Riferimento 23974
SAMSUNG 1TB 4000GB SSD 2,5” SATA DISCO 870 QVO MZ-77Q4T0 STATO SOLIDO NOTEBOOKCodice Simpletek 23974
Capacità: 1TB
Fattore di Forma: 2.5"
Garanzia: 24 mesi (Simpletek)
Fattura di acquisto: va richiesta contestualmente all’ordine e sarà inviata tramite email. In assenza dei dati di fatturazione verrà emesso lo scontrino fiscale che non sarà possibile annullare.
Il Samsung 870 QVO è l'SSD di seconda generazione di Samsung con tecnologia QLC, progettato per offrire un equilibrio perfetto tra capacità elevata e prestazioni affidabili. Questo disco a stato solido da 1TB (1000GB) rappresenta la soluzione ideale per chi desidera sostituire un vecchio hard disk meccanico o espandere l'archiviazione del proprio PC senza rinunciare alla velocità tipica di un'unità SSD.
Grazie all'interfaccia SATA III, l'870 QVO raggiunge il limite massimo di velocità consentito da questo standard, garantendo una reattività del sistema eccellente, tempi di boot ridotti e un accesso ai file quasi istantaneo. La sua struttura sottile lo rende perfettamente compatibile con la maggior parte dei notebook, PC All-in-One e computer desktop.
PC Client
Interfaccia
Interfaccia SATA 6Gb/s, compatibile con SATA 3Gb/s e interfaccia SATA 1,5Gb/s
Dimensioni (LxAxP)
100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Peso
Circa 48g
Lettura sequenziale
Fino a 560 MB/sec * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Scrittura sequenziale
Fino a 530 MB/sec * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Applicazioni
PC Client
Capacità
1000 GB (1GB=1 miliardo di byte da IDEMA) * *La capacità effettiva utilizzabile può essere inferiore (a seconda della formattazione, delle partizioni, del sistema operativo, delle applicazioni o altro)
Tipologia di Design
2.5 pollici
Interfaccia
Interfaccia SATA 6Gb/s, compatibile con SATA 3Gb/s e interfaccia SATA 1,5Gb/s
Dimensioni (LxAxP)
100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Peso
Circa 48g
Memoria di archiviazione
Samsung V-NAND 3bit MLC
Controller
Controller Samsung MKX
Memoria cache
SDRAM DDR4 a basso consumo da 4GB Samsung
Supporto TRIM
TRIM Supportato
Supporto S.M.A.R.T
S.M.A.R.T Supportato
GC (Garbage Collection)
Auto Garbage Collection Algorithm
Supporto crittografia
Crittografia AES a 256 bit (Classe 0), TCG/Opal, IEEE1667 (unità crittografata)
Supporto WWN
World Wide Name supportato
Supporto modalità sleep del dispositivo
Sì
Lettura sequenziale
Fino a 560 MB/sec * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Scrittura sequenziale
Fino a 530 MB/sec * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Lettura casuale (4 KB, QD32)
Fino a 98.000 IOPS * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema **Misurat con la tecnologia TurboWrite attiva
Scrittura casuale (4 KB, QD32)
Fino a 88.000 IOPS * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema **Misurat con la tecnologia TurboWrite attiva
Lettura casuale (4 KB, QD1)
Fino a 13.000 IOPS * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema **Misurat con la tecnologia TurboWrite attiva
Scrittura casuale (4 KB, QD1)
Fino a 36.000 IOPS * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema **Misurat con la tecnologia TurboWrite attiva
Consumo energetico medio (a livello di sistema)
*Medio: 2,5 W *Max: 5,0 W (Modalità Burst)* *Il consumo energetico effettivo può variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Consumo energetico (inattivo)
Max. 35 mW * Il consumo energetico effettivo può variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Tensione consentita
5V ± 5% Allowable voltage
Affidabilità (MTBF)
1.5 milioni di ore affidabilità (MTBF)
Temperatura di funzionamento
0 - 70 ℃
Shock
1.500 G & 0,5 ms (Half sine)
